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檢測(cè)認(rèn)證知識(shí)分享

【失效分析】芯片失效分析方法有哪些?

對(duì)于應(yīng)用工程師,芯片失效分析是最棘手的問(wèn)題之一。之所以棘手,很無(wú)奈的一點(diǎn)便是:芯片失效問(wèn)題通常是在量產(chǎn)階段,甚至是出貨后才開始被真正意識(shí)到,此時(shí)可能僅有零零散散的幾個(gè)失效樣品,但這樣的比例足以讓品質(zhì)部追著研發(fā)工程師進(jìn)行一個(gè)詳盡的原因分析。

 對(duì)于研發(fā)工程師,在排查完外圍電路、生產(chǎn)工藝制程可能造成的損傷后,更多的還需要原廠給予支持進(jìn)行剖片分析。不管芯片是否確實(shí)有設(shè)計(jì)問(wèn)題,但出于避免責(zé)任糾紛,最終原廠回復(fù)給你的報(bào)告中很可能都是把問(wèn)題指向了“EOS”損傷,進(jìn)而需要你排查自己的電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)靜電防控。

 由于缺乏專業(yè)的分析設(shè)備,芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)的保密性不可能讓應(yīng)用工程師了解太多,因此對(duì)于原廠給予的分析報(bào)告,應(yīng)用工程師很多時(shí)候其實(shí)處于“被動(dòng)接受”的處境。

 雖然無(wú)法了解芯片內(nèi)部的設(shè)計(jì),但其實(shí)我們可以了解芯片廠商相關(guān)失效分析手法,至少在提供給你的報(bào)告上,該有的失效分析是否是嚴(yán)瑾,數(shù)據(jù)是否可靠,你可以做出一定的判斷——

 手法一:電子顯微鏡查看表面異常

 失效的芯片樣品到了芯片廠商手里后,首先要做的必然是用高放大倍數(shù)的電子顯微鏡查看芯片表面在物理層面上是否有異常問(wèn)題,如裂痕、連錫、霉變等異?,F(xiàn)象。

 手法二:XRay查看芯片封裝異常

 X射線在穿越不同密度物質(zhì)后光強(qiáng)度會(huì)產(chǎn)生變化,在無(wú)需破壞待測(cè)物的情況下利用其產(chǎn)生的對(duì)比效果形成的影像可以顯示出待測(cè)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IC封裝中如層剝離、爆裂、空洞、打線等問(wèn)題都可以用XRay進(jìn)行完整性檢驗(yàn)。

 手法三:CSAM 掃描聲學(xué)顯微鏡

 掃描聲學(xué)顯微鏡利用高頻超聲波在材料不連續(xù)界面上反射產(chǎn)生的振幅及相位與極性變化來(lái)成像,典型的SAM圖像以紅色的警示色表示缺陷所在。

 SAM和XRay是一種相互補(bǔ)充的手法,X-Ray對(duì)于分層的空氣不敏感,所得出的圖像是樣品厚度的一個(gè)合成體,而SAM可以分層展現(xiàn)樣品內(nèi)部一層層的圖像,因此對(duì)于焊接層、填充層、涂覆層等的完整性檢測(cè)是SAM的優(yōu)勢(shì)。

 手法四:激光誘導(dǎo)定位漏電結(jié)

 給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過(guò),在檢測(cè)微電流是否產(chǎn)生變化的同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。由于激光束在芯片中部分轉(zhuǎn)化為熱能,因此如果芯片內(nèi)部存在漏電結(jié),缺陷處溫度將無(wú)法正常傳導(dǎo)散開,導(dǎo)致缺陷處溫度累計(jì)升高,并進(jìn)一步引起缺陷處電阻及電流的變化。通過(guò)變化區(qū)域與激光束掃描位置的對(duì)應(yīng),即可定位出缺陷位置。該技術(shù)是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)的專利技術(shù),叫OBIRCH(加電壓檢測(cè)電流變化),與該分析手法相似的有TIVA(加電流檢測(cè)電壓變化)、VBA(加電壓檢測(cè)電壓變化),這三種分析手法本質(zhì)相同,只是為了規(guī)避專利侵權(quán)而做的不同檢測(cè)方式而已(TIVA為美國(guó)技術(shù)專利,VBA為新加坡技術(shù)專利)。

 當(dāng)然,在進(jìn)行X-Ray、CASM、OBIRCH之前,可以對(duì)每個(gè)管腳進(jìn)行逐漸加電壓并偵測(cè)電流曲線是否異常,由此先大概確認(rèn)是否該管腳有失效的可能性

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