溫度循環(huán)試驗(yàn)測(cè)試報(bào)告辦理方法及測(cè)試條件

溫度循環(huán)試驗(yàn)，又稱高低溫循環(huán)試驗(yàn)，是將晶振暴露在高低溫交替的試驗(yàn)環(huán)境中，測(cè)試其在高低溫變化下的抗沖擊能力。該試驗(yàn)?zāi)M溫度交替變化對(duì)電子元器件的機(jī)械性能和電氣性能的影響，以及元器件在短期內(nèi)反復(fù)承受溫度變化的能力。

溫度循環(huán)試驗(yàn)的重要性

溫度循環(huán)試驗(yàn)旨在揭示晶振在極端溫度條件下的潛在問(wèn)題，如芯片裂紋、密封性不足、接觸不良和材料熱脹冷縮等制造缺陷。通過(guò)這一試驗(yàn)，能夠有效地評(píng)估元器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性，確保其在嚴(yán)苛環(huán)境下的正常工作。

試驗(yàn)設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)

溫度循環(huán)試驗(yàn)通常使用高低溫交變?cè)囼?yàn)箱進(jìn)行。試驗(yàn)箱能夠根據(jù)預(yù)設(shè)的溫度變化曲線，精確地完成試驗(yàn)過(guò)程。參考的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)包括：

- MIL-STD-810F

- JESD22 Method JA-104

- GJB 360B.107

試驗(yàn)條件與步驟

試驗(yàn)說(shuō)明

- 低溫：-40±5°C

- 高溫：125±5°C

- 循環(huán)次數(shù)：1000次

- 高低溫度保持時(shí)間：最長(zhǎng)30分鐘

- 高低溫切換時(shí)間：最長(zhǎng)1分鐘

- 實(shí)驗(yàn)結(jié)束后：24±2小時(shí)進(jìn)行電性能測(cè)試

試驗(yàn)過(guò)程

1. 預(yù)設(shè)溫度曲線：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品要求設(shè)定溫度變化曲線。

2. 放置樣品：將晶振樣品放置在高低溫交變?cè)囼?yàn)箱內(nèi)。

3. 執(zhí)行循環(huán)測(cè)試：進(jìn)行高低溫循環(huán)，按照設(shè)定的低溫和高溫條件進(jìn)行反復(fù)切換，每次保持時(shí)間不超過(guò)30分鐘，切換時(shí)間不超過(guò)1分鐘。

4. 測(cè)試結(jié)束：完成1000次循環(huán)后，取出樣品并在常溫下放置24±2小時(shí)。

5. 電性能測(cè)試：對(duì)樣品進(jìn)行電性能測(cè)試，評(píng)估其在溫度循環(huán)后的表現(xiàn)。

試驗(yàn)對(duì)晶振的影響

溫度循環(huán)試驗(yàn)后，晶振的電性能會(huì)發(fā)生一定的變化：

- 晶體諧振器頻率：降低約2.5ppm（最大5ppm）。

- 諧振阻抗：增大約3Ω（最大5Ω），或變化在±10%范圍內(nèi)。

- 晶體振蕩器頻率：降低約3ppm（最大5ppm）。

這些變化反映了晶振在極端溫度條件下的穩(wěn)定性，對(duì)于產(chǎn)品設(shè)計(jì)和可靠性評(píng)估提供了重要的參考數(shù)據(jù)。

溫度循環(huán)試驗(yàn)是評(píng)估晶振可靠性的重要手段，通過(guò)模擬高低溫交替環(huán)境，揭示其潛在的制造缺陷和電性能變化。

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